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IRFU13N20DPBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:25A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单路N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要高性能和可靠性的各种应用场景。TO251；N—Channel沟道,200V；25A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFU13N20DPBF-VB
- 商品编号
- C19711336
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
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