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HCPL-J314-000E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HCPL-J314-000E

输出电流0.6A的IGBT栅极驱动光耦合器

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描述
HCPL-J314 系列器件包含一个与带功率输出级的集成电路进行光耦合的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压
品牌名称
Broadcom(博通)
商品型号
HCPL-J314-000E
商品编号
C19673759
商品封装
SOIC-5​
包装方式
管装
商品毛重
30.42克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶体管输出光耦
输入类型DC
输出类型-
正向压降(Vf)1.5V
输出电流600mA
隔离电压(Vrms)3.75kV
直流反向耐压(Vr)5V
负载电压-
属性参数值
输出通道数1
上升时间(tr)50ns
下降时间50ns
工作温度-40℃~+100℃
电流传输比(CTR)最小值-
电流传输比(CTR)最大值/饱和值-
总功耗(Pd)260mW
正向电流(If)-

商品概述

HCPL-J314系列器件由一个AlGaAs LED与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。对于额定值更高的IGBT,可以使用HCPL-3150(0.6 A)或HCPL-3120(2.5 A)光耦合器。

商品特性

  • 最大峰值输出电流0.6 A
  • 最小峰值输出电流0.4 A
  • 高速响应:在温度范围内最大传播延迟0.7 μs
  • 超高共模抑制比(CMR):在VCM = 1.5 kV时最小25 kV/μs
  • 可自举电源电流:最大3 mA
  • 宽工作温度范围:-40℃至100℃
  • 宽VCC工作范围:在温度范围内10 V至30 V
  • 提供DIP8(单通道)和SO16(双通道)封装
  • 安全认证:UL认证,3750 Vrms持续1分钟。CSA认证、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2认证。VIORM = 891 Vpeak

应用领域

  • 隔离式IGBT/功率MOSFET栅极驱动
  • 交流和无刷直流电机驱动
  • 家电逆变器
  • 工业逆变器
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF