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IPT015N10NF2SATMA1实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPT015N10NF2SATMA1

1个N沟道 耐压:100V 电流:315A

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私有库下单最高享92折
描述
特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
IPT015N10NF2SATMA1
商品编号
C19632811
商品封装
PG-HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.92克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)315A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)161nC@10V
输入电容(Ciss)11nF
反向传输电容(Crss)76pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.7nF

商品特性

  • 针对广泛应用进行优化
  • N沟道,常电平
  • 100%雪崩测试
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249-2-21标准无卤

应用领域

  • 功率开关应用
  • 负载开关

数据手册PDF

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