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ESD7371HT1G(UMW)
单向ESD 5.3V截止 峰值浪涌电流：3A@IEC6100045
- 描述
- 旨在保护需要超低电容的电压敏感组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其非常适合在电路板空间有限的设计中进行 ESD 保护。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- ESD7371HT1G(UMW)
- 商品编号
- C19626365
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.3V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 7V | |
| 反向电流(Ir) | 50nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.7pF |
商品概述
ESD7371系列旨在为需要超低电容的电压敏感元件提供静电放电和瞬态电压事件保护。其出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏电流以及快速响应时间，使其成为电路板空间受限设计中静电放电保护的理想选择。
商品特性
- 低电容（最大值0.7pF，输入/输出至地）
- 截止电压：5.3 V
- 低泄漏电流：<1nA
- 低动态电阻 < 1
- 可承受1000次IEC61000-4-2标准±8 kV接触/空气放电静电冲击
- 业界领先的电容电压线性度
应用领域
- 射频信号静电放电保护
- 射频开关、功率放大器和天线静电放电保护
- 近场通信
- USB 2.0， USB 3.0
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