温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DSU007N04NA
1个N沟道 耐压:40V 电流:475A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 低导通电阻。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。 100% AVDS测试。 无铅电镀/无卤素/符合RoHS标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理系统的充电/放电
- 品牌名称
- WXDH(东海半导体)
- 商品型号
- DSU007N04NA
- 商品编号
- C19193553
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.933333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 475A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9.669nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 171pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.403nF |
商品特性
- 20A、650V，在VGS = 10V/10A条件下，RDS(ON)最大值 = 0.50Ω
- 低栅极电荷
- 低输入电容Ciss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力