- 引脚图
- 焊盘图
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IRLML5103GPbF
IRLML5103GPbF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLML5103GPbF
- 商品编号
- C19193168
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 760mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 定制化引线框架被集成到标准SOT - 23封装中,从而生产出业界占位面积最小的HEXFET功率MOSFET。这种被称为Micro3的封装,非常适合印刷电路板空间有限的应用。Micro3的低外形高度(<1.1mm)使其能够轻松适配超薄应用环境,如便携式电子产品和PCMCIA卡。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低外形高度(<1.1mm)
- 快速开关
- 无铅
- 无卤
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源