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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DSU007N04NA

1个N沟道 耐压:40V 电流:475A

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描述
特性:AEC-Q101合格。 低导通电阻。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。 100% AVDS测试。 无铅电镀/无卤素/符合RoHS标准。应用:电机控制和驱动。 电池管理系统的充电/放电
商品型号
DSU007N04NA
商品编号
C19193553
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
0.933333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)475A
导通电阻(RDS(on))0.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)333W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)9.669nF
反向传输电容(Crss)171pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)5.403nF

商品特性

  • 通过AEC-Q101认证
  • 导通电阻低
  • 反向传输电容低
  • 100%单脉冲雪崩能量测试
  • 100% ΔVDS测试
  • 无铅镀层/无卤/符合RoHS标准

应用领域

-电机控制与驱动-电池管理系统的充电/放电-开关电源的同步整流器-汽车应用

数据手册PDF