商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压(最大值):-20V
- 低导通电阻:
- 在VGS = -4.5V时为200mΩ
- 在VGS = -2.5V时为250mΩ
- 连续漏极电流(最大值):
- 在25°C时为 - 1.5A(SOT23 - 3)
- 在25°C时为 - 1.1A(SOT323)
应用领域
-电池组-电池供电的便携式设备-移动电话和无绳电话