商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 漏源电压(最大值):60V
- 低导通电阻(典型值):
- 当VGS = 10V时为1.2Ω
- 当VGS = 5V时为1.7Ω
- 连续漏极电流(最大值):
- 在25°C时为115mA
应用领域
-电池组-电池供电的便携式设备-移动电话和无绳电话
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