商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UM2302是一款低阈值N沟道MOSFET,具有极低的导通电阻。这一优势为设计人员提供了一款可用于电池和负载管理应用的高效器件。该器件采用节省空间的小外形SOT23 - 3或SOT323封装。
商品特性
- 漏源电压(最大值):20V
- 低导通电阻
应用领域
-电池组-电池供电的便携式设备-移动电话和无绳电话