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2SB1260-R实物图
  • 2SB1260-R商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2SB1260-R

PNP 电流:1A 电压:80V

描述
双极型晶体管 SOT-89 塑封封装 PNP 半导体三极管 击穿电压高,放大线性好,饱和压降低,与 2SD1898 互补 -80V -1A
商品型号
2SB1260-R
商品编号
C19190002
商品封装
SOT-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.1254克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE)390@0.1A,3V
属性参数值
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@500mA,50mA
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP

商品概述

9 塑封封装PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package.

商品特性

  • 击穿电压高,放大线性好,饱和压降低,与2SD1898 互补。
  • High breakdown voltage, good hFE linearity, low VCE(sat), complements the 2SD1898.

应用领域

  • 一般功率放大。
  • General power amplifier applications.

数据手册PDF

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