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BRCS900P10DP

1个P沟道 耐压:100V 电流:18A

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描述
TO-252 塑封封装P 沟道MOS 场效应管。
商品型号
BRCS900P10DP
商品编号
C19190009
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.47124克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@4.5V,10A
耗散功率(Pd)65W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.9nC@10V;2.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)5.2nF
反向传输电容(Crss)450pF
工作温度-
类型P沟道
输出电容(Coss)750pF

商品概述

TO-252 塑封封装P 沟道MOS 场效应管。 P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.

商品特性

  • VDS(V)=-100V
  • ID=-18A
  • RDS(ON)@-10V<90mΩ(Typ.80mR)
  • RDS(ON)@-4.5V<100mΩ(Typ.90mR)
  • 无卤产品。
  • HF Product.

应用领域

  • 工业级DC/DC转换器的电源管理Power Management of Industrial DC/DC Converter.

数据手册PDF

优惠活动

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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