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BRCS4953DMF-B
2个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- SOT23-6 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管 超高密度设计，导通电阻小，可靠性好 用于电源管理，便携式设备和电池供电系统 -20V -3A
- 品牌名称
- BLUE ROCKET(蓝箭)
- 商品型号
- BRCS4953DMF-B
- 商品编号
- C19190005
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97mΩ@10V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 223pF |
商品概述
SOT23-6 塑封封装双P 沟道MOS 场效应管。 Dual P-Channel MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package.
商品特性
- 超高密度设计，导通电阻小，可靠性好。
- Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable.
应用领域
- 用于电源管理，便携式设备和电池供电系统。
- Power Management in Notebook computer, Portable Equipment and Battery powered systems.
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交8单
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