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IRF3205
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
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- 描述
- IRF3205是一款硅N沟道增强型MOSFET，采用先进的MOSFET技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于同步整流、逆变器系统、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF3205
- 商品编号
- C19189952
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.588克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.247nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRF3205是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于同步整流、逆变器系统、高速开关及通用应用等领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 55 V，漏极电流（ID） = 110 A，栅源电压（VGS） = 10 V时，导通状态下漏源电阻（RDS(ON)） < 9 mΩ
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 12V逆变器系统的电源管理
- 同步整流