温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFB4310
1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- IRFB4310采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRFB4310
- 商品编号
- C19189953
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.578克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 塑料封装。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 110 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 8 mΩ
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 高密度单元设计,可降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源