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IRFB4110
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- IRFB4110采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRFB4110
- 商品编号
- C19189954
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.544克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 211W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AO3400S采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或其他通用应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 5.1A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 33mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 39mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 55mΩ
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理