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K3878
1个N沟道 耐压:900V 电流:9A
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- 描述
- K3878采用先进的技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- K3878
- 商品编号
- C19189955
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 970mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.95V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF |
商品概述
- 低 RDS(on)
- 符合 RoHS 标准且无卤
商品特性
- 漏源电压VDS = 900 V,在栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 9 A时,导通电阻Rdson < 1.15 mΩ(典型值:0.97 Ω)
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 适配器和充电器