AOTF409-VB
1个P沟道 耐压:60V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型Trench技术MOSFET,适用于电动车辆、电源逆变器、工业控制和汽车电子系统等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO220F;P—Channel沟道,-60V;-30A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~ -2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AOTF409-VB商品编号
C19188198商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
3.46克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | - | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
梯度价格
梯度
售价
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