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AOTF409-VB
1个P沟道 耐压:60V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电动车辆、电源逆变器、工业控制和汽车电子系统等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO220F；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~ -2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AOTF409-VB
- 商品编号
- C19188198
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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