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JCS650C-O-C-N-B-VB

1个N沟道 耐压:200V 电流:35A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于适用于电源模块、电机驱动模块和充放电模块等领域。TO220；N—Channel沟道,200V；35A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
JCS650C-O-C-N-B-VB
商品编号
C19188213
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
3.755克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)3.75W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)140nC@10V
输入电容(Ciss)2.69nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)200pF

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