MCH3401-TL-VB
1个N沟道 耐压:20V
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,具有良好的性能稳定性和可靠性。适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块,如电源开关、电动工具控制器和低压断路器等领域。SC70-3;N—Channel沟道,20V;4A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±12V;Vth=0.6~1.3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
MCH3401-TL-VB商品编号
C19188214商品封装
SC-70-3包装方式
编带
商品毛重
0.041克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | - | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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