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IPD90N06S4L-05-VB
1个N沟道 耐压:60V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用SGT技术制造，适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域，可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中，以实现稳定的能量转换和高性能输出。TO252；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD90N06S4L-05-VB商品编号
C19188208商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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