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CMD30P15
1个P沟道 耐压:150V 电流:30A 停产
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD30P15
- 商品编号
- C19188065
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
AKM120N040T4A 1200V、40mΩ碳化硅（SiC）功率MOSFET是一款N沟道增强型器件。该器件具有高电流密度和出色的开关性能。由于其优异的热导率，该器件的热性能和与温度无关的开关性能得到显著提升。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 有源钳位开关
- 负载开关
- 便携式设备和电池供电系统