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CMF5950A
1个P沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- CMF5950A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF5950A
- 商品编号
- C19188066
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
总价金额：
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