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CMSA120P03A
1个P沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- CMSA120P03A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA120P03A
- 商品编号
- C19188068
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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