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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

CMSA6354

1个N沟道 耐压:30V 电流:65A

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描述
CMSA6354采用先进的工艺技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
品牌名称
Cmos(广东场效应半导体)
商品型号
CMSA6354
商品编号
C19188069
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1455克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)1.3nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)300pF

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