- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDB8832(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- 场效应管（MOSFET）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDB8832(UMW)
- 商品编号
- C19185920
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 204nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.26nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压VDS=30V
- 漏极电流ID=80A(VGS=10V)
- 导通电阻RDS(ON)<1.9mΩ(VGS=10V)
- 导通电阻RDS(ON)<2.2mΩ(VGS=4.5V)
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷Qrr体二极管
- 具备非钳位感性开关能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- 启动机/发电机系统
- 电子助力转向系统
- DC-DC转换器
- IPB015N04NG(UMW)
- IPB027N10N3G(UMW)
- AON6240(UMW)
- PESD5V0X1UB(UMW)
- BSD5A051U(UMW)
- ESDAVLC6-2BLY(UMW)
- PESD5V0U1UT(UMW)
- BST23A052U(UMW)
- UDD32C05L01(UMW)
- BV05C
- ST3232CDR(UMW)
- ST232CDR(UMW)
- WRB1224S-3WR2
- H0505S-2WR2
- F0505S-3WR2
- WRA0505S-3WR2
- WRA0512S-3WR2
- 49MN-011059-F-AL-00
- 49MN-025000-F-AL-01
- D21N-032768-2-AL-03
- D21N-032768-2-AL-00