- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB015N04NG(UMW)
N沟道 耐压:40V 电流:120A
- 描述
- 场效应管（MOSFET）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IPB015N04NG(UMW)
- 商品编号
- C19185921
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 20nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.3nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- V_DS = 40V
- I_D = 120A
- R_DS(ON) < 1.5 mΩ (V_GS = 10V)
- 针对DC/DC转换器优化的技术
- 优异的栅极电荷与导通电阻乘积
- 极低的导通电阻
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