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FTF15N35D
N沟道+N沟道 增强型MOSFET
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- 描述
- N+N双通道MOSFET，采用平面工艺，PDFN3*3双芯封装，兼具高可靠性、优异散热特性。耐压350V，导通电阻小：15Ω@VGS=10V，可并联使用；适合用于工业自动化控制、电源管理等多种领域，作为中高压功率开关管使用。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTF15N35D
- 商品编号
- C19184458
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 32.58pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.36pF |
商品概述
功率SOT-223 P沟道增强型功率场效应晶体管，专为最大限度降低导通电阻和提供卓越的开关性能而设计。
商品特性
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 快速开关速度
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 高效开关电源
- 适配器/充电器
- 有源功率因数校正