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FTF15N35D
N沟道+N沟道 增强型MOSFET
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- 描述
- N+N双通道MOSFET，采用平面工艺，PDFN3*3双芯封装，兼具高可靠性、优异散热特性。耐压350V，导通电阻小：15Ω@VGS=10V，可并联使用；适合用于工业自动化控制、电源管理等多种领域，作为中高压功率开关管使用。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTF15N35D
- 商品编号
- C19184458
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 32.58pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.36pF |
商品概述
功率SOT-223 P沟道增强型功率场效应晶体管，专为最大限度降低导通电阻和提供卓越的开关性能而设计。
商品特性
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和大电流处理能力。
- VDS(V) = -30 V
- ID = -7.5 A (VGS = -10 V)
- RDS(ON) < 30 mΩ (VGS = -10 V)
- RDS(ON)< 45 mΩ (VGS~~- 4.5 V)
- 采用高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)