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FTF30P35D
P沟道+P沟道 增强型MOSFET
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- 描述
- P+P双通道MOSFET，采用平面工艺，PDFN3*3双芯封装，兼具高可靠性、优异散热特性。耐压350V，电阻低：15Ω@VGS=10V；适合用于工业自动化控制、电源管理等多种领域。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTF30P35D
- 商品编号
- C19184459
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 43.39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |