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FTF25N35DHVT
N沟道+N沟道 增强型MOSFET
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- 描述
- N+N双通道集成MOSFET，采用平面工艺，PDFN3*3双芯封装，兼具高可靠性、优异散热特性。集成设计显著提高了MOSFET体二极管反向导通的最低电压（体二极管反向导通电压高于5V），集成N-MOSFET的D-S正向开启电压VGS(TH)：2～5V，而S-D反向导通电压VGS(TH)_REV：5～10V，非常适合作为S-D方向能阻断一定高电压的N沟道功率开关管使用，适用于工业控制、高速检测设备等领域。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTF25N35DHVT
- 商品编号
- C19184460
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@10V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：75 V（漏极电流 ID = 100 μA）
- 漏极电流（ID）：40 A
- 导通电阻（RDS(ON)）：最大 9.5 mΩ（栅源电压 VGS = 10 V，漏极电流 ID = 27.2 A）
- 总栅极电荷（Qg）：25.0 nC（栅源电压 VGS = 4.5 V，漏源电压 VDS = 38 V，漏极电流 ID = 31.2 A）
- 总栅极电荷低
- 高速开关
- 导通电阻低
- 支持 4.5 V 栅极驱动
- 经过 100% 单脉冲雪崩能量测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 同步整流
- 电源
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