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FTF50P35DHVT
P沟道+P沟道 增强型MOSFET
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- 描述
- P+P双通道集成MOSFET，采用平面工艺，PDFN3*3双芯封装，兼具高可靠性、优异散热特性。集成设计显著提高了MOSFET体二极管反向导通的最低电压（体二极管反向导通电压高于5V），集成N-MOSFET的D-S正向开启电压VGS(TH)：2～5V，而S-D反向导通电压VGS(TH)_REV：5～10V，非常适合作为S-D方向能阻断一定高电压的N沟道功率开关管使用，适用于工业控制、高速检测设备等领域。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTF50P35DHVT
- 商品编号
- C19184461
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 专有先进高阈值电压(Vth)技术
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤版本
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路。