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AP9585GM-HF-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:2.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于各种电子应用领域。SOP8；P—Channel沟道,-100V；-4.5A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.1~-2.6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP9585GM-HF-VB
- 商品编号
- C18795074
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V；200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.5nC@10V；23.2nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
总价金额：
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