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NVD6824NLT4G-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NVD6824NLT4G-VB商品编号
C18795082商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V |
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