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AO4292-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:10.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFE，采用Trench技术，适用于低功耗电源模块、电动汽车控制、工业控制等领域。SOP8；N—Channel沟道,100V；10.4A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AO4292-VB
- 商品编号
- C18795094
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
~~- 符合RoHS标准-导通电阻低-栅极电荷低-峰值电流与脉冲宽度曲线
应用领域
- 阴极射线管（CRT）、电视机/显示器
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