NDS9430A-NL-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:8A
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单路功率型沟道型MOSFET,采用Trench工艺,适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计,在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8;P—Channel沟道,-20V;-13A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.5~-1.2V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NDS9430A-NL-VB商品编号
C18795081商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.162克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@4.5V |
梯度价格
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