温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOH3106-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道型器件，采用Trench工艺制造，适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223；N—Channel沟道,100V；5A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AOH3106-VB
- 商品编号
- C18794924
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V；120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
相似推荐
其他推荐
- AP9974GH-HF-VB
- BSP129-VB
- CES2308-VB
- IRF7807TRPBF-VB
- IRL1404PBF-VB
- NTB75N03-06T4G-VB
- PSMN034-100BS-VB
- TPC8124-VB
- APM4925KC-TRL&19-VB
- SI7460DP-T1-E3-VB
- SI2343CDS-T1-E3-VB
- SQM50P03-07-GE3-VB
- NTD4969NT4G-VB
- SI2366DS-T1-GE3-VB
- IRLI540GPBF-VB
- NTD4806N-1G-VB
- P06P03LCG-VB
- ME50N10T-VB
- SIS434DN-T1-GE3-VB
- CED16N10L-VB
- IRF830STRLPBF-VB