AP9974GH-HF-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:58A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型场效应晶体管,采用Trench工艺,具有较低的导通电阻和较高的性能,适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252;N—Channel沟道,60V;58A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP9974GH-HF-VB
- 商品编号
- C18794925
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V;13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC
相似推荐
其他推荐
- BSP129-VB
- CES2308-VB
- IRF7807TRPBF-VB
- IRL1404PBF-VB
- NTB75N03-06T4G-VB
- PSMN034-100BS-VB
- TPC8124-VB
- APM4925KC-TRL&19-VB
- SI7460DP-T1-E3-VB
- SI2343CDS-T1-E3-VB
- SQM50P03-07-GE3-VB
- NTD4969NT4G-VB
- SI2366DS-T1-GE3-VB
- IRLI540GPBF-VB
- NTD4806N-1G-VB
- P06P03LCG-VB
- ME50N10T-VB
- SIS434DN-T1-GE3-VB
- CED16N10L-VB
- IRF830STRLPBF-VB
- LU014N-VB
