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IRL1404PBF-VB

1个N沟道耐压:40V 电流:180A

描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型MOSFET，采用Trench工艺，具有优异的性能和稳定性。适用于高功率电子设备的散热要求。TO220；N—Channel沟道,40V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: IRL1404PBF-VB
商品编号: C18794929
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 4.1克(g)

商品参数

低漏源导通电阻：TO220 和 TO263 封装的 RDS(on) = 2.1mΩ（典型值）；TOLL-8L 封装的 RDS(on) = 1.8 mΩ（典型值）
高速功率开关
增强型体二极管 dv/dt 能力
增强型雪崩耐量