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NTB75N03-06T4G-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:98A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适用于中高功率和中电流的应用场景。TO263；N—Channel沟道,30V；98A；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTB75N03-06T4G-VB
- 商品编号
- C18794930
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.425克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
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