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M93C86-RMN3TP/K实物图
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M93C86-RMN3TP/K

汽车级16 Kbit、8 Kbit、4 Kbit、2 Kbit和1 Kbit MICROWIRE串行EEPROM

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描述
汽车用16-Kbit MICROWIRE串行EEPROM
商品型号
M93C86-RMN3TP/K
商品编号
C1852773
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.355556克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型SPI
存储容量16Kbit
时钟频率(fc)2MHz
写周期时间(Tw)4ms
数据保留 - TDR(年)100年
写周期寿命400万次
属性参数值
功能特性内置上电复位(POR);内置错误纠正码(ECC)功能;噪声抑制功能
工作电压1.8V~5.5V
工作温度-40℃~+125℃
工作电流1.5mA
待机电流15uA
读取访问时间(tA)-

商品概述

M93C46(1Kbit)、M93C56(2Kbit)、M93C66(4Kbit)、M93C76(8Kbit)和M93C86(16Kbit)是通过MICROWIRE总线协议访问的电可擦可编程存储器(EEPROM)设备。内存阵列可配置为字节(x8b)或字(x16b)。M93Cx6-A125设备的供电电压范围为1.8V至5.5V,工作温度范围为-40℃至+125℃,符合汽车标准AEC-Q100 Grade1。

商品特性

  • 采用行业标准MICROWIRE总线
  • 内存阵列大小:1Kb、2Kb、4Kb、8Kb或16Kb
  • 双组织方式:字(x16)或字节(x8)
  • 写入时间:字节4ms,字4ms
  • 编程期间提供READY/BUSY信号
  • 时钟速率2MHz
  • 支持顺序读取操作
  • 单电源供电:1.8V至5.5V
  • 工作温度范围:-40℃至125℃
  • 增强型ESD保护
  • 写入周期耐久性:25℃下4百万次,85℃下1.2百万次,125℃下600k次
  • 数据保留时间:125℃下50年,25℃下超过100年
  • 封装符合RoHS标准且无卤素(ECOPACK2)
  • 编程内部自定时,无需在写入指令前执行擦除周期
  • 内部上电数据保护机制,供电过低时禁止设备运行
  • 顺序读取时地址寄存器自动递增,芯片选择输入保持高电平时可输出连续数据流

应用领域

  • 适用于汽车电子系统
  • 适用于需要高可靠性存储的汽车级电子设备场景
  • 适用于宽温范围和宽电压范围的汽车电子应用领域
  • 适用于需要长数据保留和高写入周期的汽车电子系统
  • 适用于符合AEC-Q100 Grade1标准的汽车电子设备
  • 适用于需要ESD保护的汽车电子存储应用
  • 适用于通过MICROWIRE总线协议通信的汽车电子设备
  • 适用于需要顺序读取和自定时编程的汽车电子存储场景
  • 适用于需要字节或字组织方式的汽车电子存储应用
  • 适用于RoHS合规和无卤素要求的汽车电子设备
  • 适用于需要内部上电保护机制的汽车电子存储设备
  • 适用于需要连续数据流输出的汽车电子存储应用
  • 适用于1Kbit至16Kbit存储容量需求的汽车电子设备
  • 适用于1.8V至5.5V供电的汽车电子存储场景
  • 适用于-40℃至125℃工作温度范围的汽车电子设备
  • 适用于需要READY/BUSY信号的汽车电子编程场景
  • 适用于2MHz时钟速率的汽车电子存储应用
  • 适用于无需预擦除的汽车电子写入操作场景
  • 适用于地址自动递增的汽车电子顺序读取应用
  • 适用于符合汽车标准的高可靠性存储设备
  • 适用于需要长寿命数据保留的汽车电子系统
  • 适用于需要高写入周期的汽车电子存储设备
  • 适用于需要ESD保护的汽车电子存储应用
  • 适用于宽电压范围的汽车电子存储设备
  • 适用于宽温范围的汽车电子存储应用
  • 适用于符合RoHS和无卤素要求的汽车电子设备
  • 适用于通过MICROWIRE总线通信的汽车电子存储设备
  • 适用于需要双组织方式的汽车电子存储应用
  • 适用于需要自定时编程的汽车电子存储设备
  • 适用于需要内部上电保护的汽车电子存储应用
  • 适用于需要连续数据流输出的汽车电子存储场景
  • 适用于1Kbit至16Kbit存储容量的汽车电子设备

数据手册PDF