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M48Z35Y-70MH1F
256Kbit零功耗SRAM，集成掉电控制电路和电池控制逻辑，引脚和功能与JEDEC标准32Kx8 SRAM兼容
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- 描述
- M48Z35/Y 是一款32Kx8的非易失性静态RAM，集成了电源故障检测电路和电池控制逻辑，能够在断电后保持数据。它与JEDEC标准32Kx8 SRAM引脚和功能兼容，适用于需要高可靠性的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M48Z35Y-70MH1F
- 商品编号
- C1852774
- 商品封装
- SOP-28-8.9mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 13.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.75V~5.5V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | - | |
| 待机电流 | - | |
| 功能特性 | 自动掉电功能；内置写抑制功能 |
商品概述
M48Z35/Y ZEROPOWER RAM是一款32K×8的非易失性静态RAM，在单芯片上集成了掉电取消选择电路和电池控制逻辑。该单片芯片有两种特殊封装，可提供高度集成的电池备份存储解决方案。M48Z35/Y是非易失性的，其引脚和功能等同于任何JEDEC标准32K×8 SRAM，还可轻松适配多种ROM、EPROM和EEPROM插座，提供PROM的非易失性，且无需特殊写时序或对写次数进行限制。28引脚600mil DIP CAPHAT封装内含M48Z35/Y芯片和长寿命锂纽扣电池。28引脚330mil SOIC封装两端有镀金触点，可直接连接含电池的独立SNAPHAT外壳。独特设计允许在表面贴装工艺完成后将SNAPHAT电池封装安装在SOIC封装顶部，避免回流焊所需的高温对电池造成潜在损坏。SNAPHAT外壳带有键位以防反向插入。SOIC和电池封装分开装在防静电塑料管或卷带中运输。28引脚SOIC对应的电池封装（即SNAPHAT）型号为M4Z28-BR00SH1。
商品特性
- 集成超低功耗SRAM、掉电控制电路和电池
- 读周期时间等于写周期时间
- 自动掉电芯片取消选择和写保护
- 写保护电压：V_PFD = 掉电取消选择电压；M48Z35：V_CC = 4.75至5.5V，4.5V ≤ V_PFD ≤4.75V；M48Z35Y：4.5至5.5V，4.2V ≤ V_PFD ≤4.5V
- CAPHAT DIP封装内含独立电池
- 封装包括28引脚SOIC和SNAPHAT顶部（需单独订购）
- 引脚和功能兼容JEDEC标准32K×8 SRAM
- SOIC封装为含电池的SNAPHAT顶部提供直接连接
- RoHS合规
- 无铅二级互连