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IRF9510PBF-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效晶体管，采用Trench技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源控制和开关应用。TO220；P—Channel沟道,-100V；-18A；RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF9510PBF-VB商品编号
C18212619商品封装
TO-220AB包装方式
管装
商品毛重
2.728克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 167mΩ@10V |
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