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082N10N-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
082N10N-VB商品编号
C18212608商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V |
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