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HM3400C-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
HM3400C-VB商品编号
C18212543商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,3.2A | |
| 功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 335pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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