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FQP55N10-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:5.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQP55N10-VB
- 商品编号
- C18212545
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 极低的栅漏电荷(Qgd),降低开关损耗
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 100% 进行雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关