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BUK662R7-55C-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、电动汽车电池管理模块等领域。TO263；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BUK662R7-55C-VB
- 商品编号
- C18212557
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 276nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.125nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.17nF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
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