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STB140NF75T4-VB
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性和高效率的功率电子模块，如电源管理、电动车辆和工业自动化等领域。TO263；N—Channel沟道,80V；120A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STB140NF75T4-VB
- 商品编号
- C18212552
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.395nF |
商品特性
- 雷霆功率MOSFET
- 最大结温175 °C
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 用于移动计算
- 负载开关
- 笔记本适配器开关
- DC/DC转换器