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ZXMP6A13GTA-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:7A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZXMP6A13GTA-VB
- 商品编号
- C18212438
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V；65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V；19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V
- 漏极电流（ID） = 192 A
- 导通电阻（RDS(ON)） < 4.2 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 改进的栅极、雪崩和动态电压变化率（dV/dt）鲁棒性
- 无铅、符合RoHS标准、无卤
- 增强的体二极管电压变化率（dV/dt）和电流变化率（dl/dt）能力
- 全面表征的电容和雪崩安全工作区（SOA）