温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
P3004ND5G-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:50A 50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- P3004ND5G-VB
- 商品编号
- C18212431
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC@10V；420nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.799nF；2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF；220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 282pF；320pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐