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BSS84-JSM
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
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- 描述
- P沟道,-60V,-0.185A,4.0Ω@-10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSS84-JSM
- 商品编号
- C18192548
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
- 静电放电(ESD)保护。
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